做工業(yè)數(shù)據(jù)采集類產(chǎn)品最怕的就是現(xiàn)場突然斷電。早幾年我做一臺故障錄波終端用SPI Nor Flash記錄波形測試時連續(xù)拔插電源間隔只有幾十毫秒結(jié)果Flash里整塊整塊的數(shù)據(jù)損壞有些扇區(qū)連讀出都是0xFF。后來換上了MR25H40CDF這顆4Mbit磁阻隨機(jī)存取存儲器MRAM配合PIC18F86J16單片機(jī)才算把這個問題徹底根治。今天這篇文章就圍繞這兩顆芯片完整講清楚在工業(yè)和嵌入式應(yīng)用里怎么選型、怎么接線、怎么寫驅(qū)動以及存儲可靠性上那些容易被忽視的實(shí)戰(zhàn)細(xì)節(jié)。打算做數(shù)據(jù)記錄、掉電保存、參數(shù)頻繁更新的開發(fā)者應(yīng)該能從這里直接拿到一套可落地的方案。MRAM這個名詞聽起來偏門其實(shí)它已經(jīng)把SRAM的速度、DRAM的密度和Flash的非易失性合到了一起。MR25H40CDF屬于Everspin的第二代SPI MRAM容量4Mbit工作電壓2.7到3.6VSPI時鐘最高能到40MHz寫入壽命大于10的14次方次數(shù)據(jù)保存20年以上。這些數(shù)字放在工業(yè)現(xiàn)場基本上是為“頻繁寫入掉電不丟”這個剛需量身定做的。而PIC18F86J16作為Microchip的8位增強(qiáng)型單片機(jī)有64KB程序Flash、約4KB SRAM、1KB Data EEPROM還包括兩個MSSP外設(shè)、多個定時器、比較器和BOR做中低端工業(yè)控制板非常順。兩者通過標(biāo)準(zhǔn)SPI總線連在一起讀寫的可靠性和開發(fā)復(fù)雜度遠(yuǎn)比想象中友好。1. 選型思路為什么是MRAM而不是Flash和EEPROM1.1 工業(yè)現(xiàn)場對非易失存儲的三個硬約束第一個硬約束是寫入次數(shù)。工業(yè)設(shè)備里的參數(shù)表、累計量、事件記錄往往每個運(yùn)行周期都在變。以一條產(chǎn)線為例設(shè)備每天運(yùn)行20小時每秒刷新一次累計量一天就是72000次寫入。普通EEPROM的擦寫壽命通常在100萬次量級換算下來不到兩周就把壽命額度耗盡。即便用SPI Nor Flash標(biāo)稱擦寫壽命一般也只有10萬次左右在這個場景下同樣撐不了多久。而MRAM的寫壽命達(dá)到10的14次方每秒寫1000次連續(xù)寫個幾年都沒有任何壓力基本不需要考慮磨損均衡。第二個硬約束是寫入速度。很多記錄類應(yīng)用要求在掉電瞬間把關(guān)鍵數(shù)據(jù)保存下來給處理留出的時間往往只有幾個毫秒。EEPROM單字節(jié)寫入要幾個毫秒Flash整頁編程也要毫秒級再把擦除時間算上掉電瞬間根本來不及。MRAM的寫入本質(zhì)是磁阻狀態(tài)翻轉(zhuǎn)沒有擦除概念SPI時鐘下每個字節(jié)僅僅需要一個時鐘周期10MHz下寫512字節(jié)數(shù)據(jù)耗時不到0.5毫秒。這個速度讓掉電保存從“想辦法湊時間”變成了“隨手就能寫”。第三個硬約束是環(huán)境干擾。工業(yè)現(xiàn)場有電機(jī)、變頻器、接觸器電磁環(huán)境很惡劣。傳統(tǒng)Flash靠電荷存儲在浮置柵極里強(qiáng)烈的電磁干擾或長期高溫可能導(dǎo)致電荷泄漏數(shù)據(jù)慢慢就“糊”了。MRAM利用磁性隧道結(jié)的磁電阻效應(yīng)存儲數(shù)據(jù)本質(zhì)上不依賴電荷抗輻射和抗電磁干擾能力比Flash強(qiáng)很多。這一點(diǎn)對電力監(jiān)控、軌道交通、醫(yī)療電子這類高可靠場景非常關(guān)鍵。1.2 MRAM與主流存儲介質(zhì)的橫向?qū)Ρ任以谶x型時把幾種常見非易失存儲介質(zhì)拉了個表直接對比核心參數(shù)參數(shù)MRAMSPI Nor FlashEEPROMFRAM擦寫壽命10^14次約10萬次約100萬次約10^12次寫入前擦除不需要需要不需要不需要單字節(jié)寫入支持按頁/扇區(qū)支持支持典型寫入速度50ns頁編程約1ms約3~10ms約100ns數(shù)據(jù)保持20年約10~20年約10年約10年抗輻射能力強(qiáng)一般一般強(qiáng)位密度成本偏高最低中等偏高單看成本MRAM確實(shí)不占優(yōu)勢1Mbit的MRAM價格通常是同容量NOR Flash的幾倍。但在整個系統(tǒng)里算總賬MRAM節(jié)省了Flash擦除算法、磨損均衡、壞塊管理和掉電補(bǔ)充電路的開發(fā)成本換來的是軟件極度簡單和現(xiàn)場故障率大幅下降。對于批量不大、可靠性要求高的工業(yè)設(shè)備來說這個溢價完全值得。1.3 為什么MCU選PIC18F86J16單片機(jī)選擇PIC18F86J16主要看中三點(diǎn)。第一是資源平衡。它有64KB程序Flash、約3936字節(jié)SRAM和1KB Data EEPROM跑一個RTOS小系統(tǒng)或者裸機(jī)狀態(tài)機(jī)都夠用。接口方面有2個MSSP硬件SPI可以直接同時掛MRAM和其他SPI器件不需要軟件模擬時序穩(wěn)定性高很多。還有5個定時器、2個EUSART、多路ADC和比較器一塊板子上的通信、采集、存儲基本都能包圓。第二是電氣特性。工作電壓范圍2.0到3.6V和MR25H40CDF的2.7到3.6V正好都在3.3V上供電設(shè)計不需要額外電平轉(zhuǎn)換。它的BOR欠壓復(fù)位模塊可以在電壓跌落時產(chǎn)生復(fù)位或中斷和MRAM的快速寫入特性配合能形成一套很實(shí)用的掉電保護(hù)機(jī)制。第三是封裝和溫度等級。PIC18F86J16常見TQFP-80封裝引腳數(shù)量充足GPIO分配靈活不會出現(xiàn)為了遷就引腳而被迫改PCB走線的問題。工業(yè)級版本支持-40到85℃和MR25H40CDF的工業(yè)溫度等級相匹配整板在高溫高濕環(huán)境下的可靠性有依據(jù)。2. 硬件連接與電路設(shè)計2.1 MR25H40CDF引腳與SPI接線MR25H40CDF的引腳不多核心就是SPI四線和三個控制腳。8引腳封裝引腳功能大致如下引腳功能說明1/CS片選低電平有效2SCLKSPI時鐘3SISPI數(shù)據(jù)輸入MCU發(fā)數(shù)據(jù)到MRAM4SOSPI數(shù)據(jù)輸出MRAM發(fā)數(shù)據(jù)到MCU5/WP寫保護(hù)低電平禁止寫入6/HOLD保持低電平暫停通信7VSS地8VCC電源2.7~3.6V我的板子上PIC18F86J16使用MSSP1作為SPI主機(jī)接線關(guān)系如下MR25H40CDF引腳連接到哪里/CSMCU的RB0普通GPIO控制SCLKMCU的RB1MSSP1時鐘SIMCU的RB2MSSP1 SDOSOMCU的RB3MSSP1 SDI/WP直接接VCC/HOLD直接接VCCVCC3.3V電源VSSGND這里有個細(xì)節(jié)要注意具體復(fù)用引腳以PIC18F86J16數(shù)據(jù)手冊的引腳功能表為準(zhǔn)不同封裝和不同外設(shè)映射會有差異。我上面寫的是我板子上的分配實(shí)際設(shè)計時務(wù)必對照手冊確認(rèn)RB1/RB2/RB3是不是MSSP1的SCLK/SDO/SDI。曾經(jīng)有人照抄別人的接線結(jié)果芯片型號批次不同引腳功能不一樣SPI信號根本沒到MRAM上白白折騰了兩天。2.2 電源去耦和上下拉MRAM是數(shù)字芯片但電源設(shè)計不能湊合。VCC引腳旁邊我放了0.1uF的陶瓷電容和10uF鉭電容各一個并且都盡量靠近芯片引腳放置。0.1uF負(fù)責(zé)濾除高頻噪聲10uF應(yīng)對瞬態(tài)電流波動。如果板上還有其他數(shù)字電路建議把MRAM的電源走線從公共電源平面出來后單獨(dú)加一個磁珠防止高頻噪聲串進(jìn)來。/CS、SCLK、SI這幾個信號如果走線過長建議在MCU側(cè)串33歐姆電阻改善信號振鈴。MRAM的SPI接口速度如果跑到20MHz以上PCB走線就要注意等長和回流地別讓時鐘線和數(shù)據(jù)線繞得太遠(yuǎn)。工業(yè)環(huán)境里SPI信號線上并一個小電容到地比如10pF左右也能有效抑制高頻干擾但會影響邊沿速率需要和實(shí)際通信速率之間做平衡。2.3 上板前必查的三個細(xì)節(jié)第一個細(xì)節(jié)是/WP和/HOLD絕對不能浮空。浮空的/WP可能因?yàn)樵肼暠焕蚆RAM直接進(jìn)入寫保護(hù)狀態(tài)表現(xiàn)出來的現(xiàn)象就是“數(shù)據(jù)怎么都寫不進(jìn)去讀出來全是舊值”。浮空的/HOLD更危險它會在SCLK低電平時被誤觸發(fā)導(dǎo)致SPI通信被暫停MCU發(fā)完命令后收不到任何回應(yīng)。我的做法是把這兩個引腳直接接VCC簡單粗暴只要設(shè)計上不需要掉電保護(hù)整片存儲區(qū)就不去動它們。第二個細(xì)節(jié)是CS的控制方式。MRAM的每個命令都是以CS上升沿作為結(jié)束點(diǎn)軟件里CS跳變的時機(jī)必須精確。如果用GPIO模擬CS驅(qū)動代碼里不要做任何多余的操作比如在CS拉高和拉低之間插入無意義的延時否則可能踩到MRAM的時序邊界。直接看邏輯分析儀抓到的波形確認(rèn)CS保持低電平的時間包含了完整的命令字節(jié)和地址字節(jié)。第三個細(xì)節(jié)是VCC電壓監(jiān)測。MR25H40CDF的工作電壓下限是2.7V如果板子供電在電壓跌落時低于這個值寫入操作會落入不確定狀態(tài)。工業(yè)設(shè)計里建議用一個電阻分壓網(wǎng)絡(luò)或比較器把3.3V電源送到PIC18F86J16的ADC引腳在掉電時為軟件提供一個中斷觸發(fā)源。后面第4部分會細(xì)講怎么配合這個電壓監(jiān)測做掉電保存。3. 軟件驅(qū)動從SPI初始化到完整讀寫3.1 用XC8把MSSP1配置成SPI主機(jī)軟件部分我用Microchip XC8編譯器直接操作寄存器。PIC18F86J16的MSSP模塊配置SPI主機(jī)模式需要設(shè)置三個關(guān)鍵寄存器SSP1CON1、SSP1STAT和SSP1ADD。下面這段是最小初始化代碼#include xc.h // 根據(jù)實(shí)際引腳定義CS #define MRAM_CS LATBbits.LATB0 #define MRAM_CS_TRIS TRISBbits.TRISB0 void SPI1_Init(void) { // MSSP1引腳設(shè)為數(shù)字IO TRISBbits.TRISB1 0; // SCLK 輸出 TRISBbits.TRISB2 0; // SDO 輸出 TRISBbits.TRISB3 1; // SDI 輸入 MRAM_CS_TRIS 0; MRAM_CS 1; // 主模式SPI Mode 0Fosc/16 SSP1CON1 0b00100010; // CKP0: 空閑時鐘為低 // SSPEN1: 使能串行端口 // SSPM0010: SPI Master, Fosc/16 SSP1STAT 0b01000000; // SMP1: 數(shù)據(jù)在采樣階段中段采樣 // CKE1: 數(shù)據(jù)在SCLK上升沿采樣對應(yīng)Mode 0 SSP1ADD 0x00; // 僅在帶定時器的模式下使用這里置0 }這段配置里經(jīng)常有人搞混CKP和CKE。PIC的MSSP模塊里CKP決定SCLK空閑電平CKE決定數(shù)據(jù)采樣邊沿。要匹配MRAM支持的SPI Mode 0標(biāo)準(zhǔn)寫法是CKP0、CKE1如果要匹配SPI Mode 3則要CKP1、CKE0。很多人從網(wǎng)上抄配置抄來抄去發(fā)現(xiàn)讀出的數(shù)據(jù)順序錯位或者全是亂碼多半就是這兩個位的組合和實(shí)際選用的模式對不上。作為驗(yàn)證手段建議在初始化之后人為拉低CS、發(fā)一個0x05讀狀態(tài)寄存器命令然后抓取SO線上的返回值。如果返回0x00說明SPI鏈路基本通了如果返回0xFF大概率是SDO/SDI接反或者M(jìn)OSI/MISO方向配置錯誤。3.2 MRAM的指令集與讀寫時序MR25H40CDF的指令集和普通SPI Flash很像常見的指令如下指令操作碼功能WREN0x06寫使能必須先發(fā)才能寫WRDI0x04寫禁止RDSR0x05讀狀態(tài)寄存器WRSR0x01寫狀態(tài)寄存器READ0x03讀數(shù)據(jù)WRITE0x02寫數(shù)據(jù)SLEEP0xB9進(jìn)入睡眠模式WAKE0xAB喚醒WREN是所有寫操作的前置條件。它的時序只有一個要求拉低CS發(fā)送0x06然后拉高CS。這個CS上升沿會把寫使能鎖存置位。之后才能拉低CS發(fā)送真正的寫命令。不少人第一次調(diào)MRAM寫了WREN之后不拉高CS就直接發(fā)WRITE結(jié)果寫操作被拒絕原因就是寫使能鎖存沒有生效。這個和Flash的體驗(yàn)一模一樣習(xí)慣了就好。讀數(shù)據(jù)時序拉低CS發(fā)送0x03接著發(fā)送24位地址高位在前然后連續(xù)讀取若干個字節(jié)。整個過程中CS必須一直保持低電平讀完最后一個字節(jié)后拉高CS。MRAM支持連續(xù)讀不需要管頁邊界讀到哪里算哪里非常方便。寫數(shù)據(jù)時序先執(zhí)行WREN并拉高CS再拉低CS發(fā)送0x02發(fā)送24位地址緊接著發(fā)送要寫入的字節(jié)數(shù)據(jù)。所有字節(jié)發(fā)送完后拉高CS。關(guān)鍵點(diǎn)在于MRAM不需要寫前擦除也不需要頁編程等待最后一個字節(jié)的CS上升沿就是寫入完成的瞬間。沒有“忙等待”這個步驟驅(qū)動的復(fù)雜度比Flash低一大截。3.3 完整讀寫驅(qū)動代碼下面是一套可以抄走的讀寫驅(qū)動支持任意地址、任意長度讀寫unsigned char SPI1_ExchangeByte(unsigned char data) { SSP1BUF data; while(!SSP1STATbits.BF); return SSP1BUF; } void MRAM_WriteEnable(void) { MRAM_CS 0; SPI1_ExchangeByte(0x06); MRAM_CS 1; } void MRAM_ReadBuffer(unsigned long addr, unsigned char *buf, unsigned int len) { MRAM_CS 0; SPI1_ExchangeByte(0x03); SPI1_ExchangeByte((unsigned char)(addr 16)); SPI1_ExchangeByte((unsigned char)(addr 8)); SPI1_ExchangeByte((unsigned char)(addr)); while(len--) { *buf SPI1_ExchangeByte(0x00); } MRAM_CS 1; } void MRAM_WriteBuffer(unsigned long addr, unsigned char *buf, unsigned int len) { MRAM_WriteEnable(); MRAM_CS 0; SPI1_ExchangeByte(0x02); SPI1_ExchangeByte((unsigned char)(addr 16)); SPI1_ExchangeByte((unsigned char)(addr 8)); SPI1_ExchangeByte((unsigned char)(addr)); while(len--) { SPI1_ExchangeByte(*buf); } MRAM_CS 1; }讀函數(shù)很好理解罷了CS之后先發(fā)0x03和地址然后把SO上的數(shù)據(jù)一個字節(jié)一個字節(jié)收回來。寫函數(shù)要注意MRAM地址是18位有效但24位地址域要求高位補(bǔ)零。如果addr范圍不超過512KBaddr的bit17以上必然為0。如果誤操作把這個值寫成非0MRAM會忽略這些高位還是觸發(fā)異常行為取決于具體批次穩(wěn)妥做法是在驅(qū)動里做一次掩碼。寫完數(shù)據(jù)后如果對可靠性有執(zhí)念可以再補(bǔ)一個狀態(tài)寄存器讀取函數(shù)確認(rèn)WEL位被清0。WEL位是狀態(tài)寄存器的bit0寫操作完成后自動歸0?？吹絎EL歸0就說明這一次寫循環(huán)完整結(jié)束了。不過由于MRAM沒有忙狀態(tài)正常流程下這個讀取不是必須的可以在調(diào)試階段用。3.4 實(shí)際存儲布局不用管擦除分區(qū)策略更自由512KB的存儲空間怎么規(guī)劃我一般分成四個區(qū)域每個區(qū)域職責(zé)明確。地址范圍用途說明0x00000~0x01FFF啟動參數(shù)區(qū)設(shè)備編號、通信地址、校準(zhǔn)系數(shù)雙份備份0x02000~0x0FFFF運(yùn)行狀態(tài)區(qū)累計量、當(dāng)前參數(shù)、運(yùn)行時間0x10000~0x6FFFF日志/記錄區(qū)事件記錄、波形數(shù)據(jù)環(huán)形覆蓋0x70000~0x7FFFF出廠校準(zhǔn)區(qū)出廠標(biāo)定值生產(chǎn)測試時一次性寫入以前用Flash的時候日志區(qū)要規(guī)劃好扇區(qū)邊界寫滿一個扇區(qū)就得擦除整個扇區(qū)程序里到處是塊管理邏輯。換用MRAM后日志區(qū)可以做成線性環(huán)形緩沖寫指針在MRAM里保存寫到末尾就繞回開頭不需要任何擦除操作。這個體驗(yàn)上的差距只有真正從Flash遷移過來的人才懂。4. 工業(yè)應(yīng)用中的數(shù)據(jù)可靠性設(shè)計4.1 掉電保存電容撐時間MRAM快速把數(shù)據(jù)寫進(jìn)去工業(yè)設(shè)備掉電是家常便飯但掉電瞬間需要保存的數(shù)據(jù)量其實(shí)很少。以我做的故障錄波終端為例掉電時要保存的是一組最近狀態(tài)字、幾個累計量和一條事件記錄加起來200字節(jié)以內(nèi)。難點(diǎn)不在量而在時間窗口極短。我的方案是硬件上用一個大電容給系統(tǒng)爭取時間軟件上通過掉電檢測中斷觸發(fā)保存流程。電容容量計算其實(shí)很簡單。系統(tǒng)在掉電后仍需要工作的電流假設(shè)是50mA允許電壓從3.3V跌到2.7V壓降0.6V想要撐住20ms需要的電容是C I × t / ΔV 0.05 × 0.02 / 0.6 ≈ 1667uF取一個2200uF的電解電容就夠了。實(shí)際電路中掉電檢測我直接用PIC18F86J16的BOR模塊或者用一個電阻分壓網(wǎng)絡(luò)把3.3V電源送到ADC通道。檢測到電壓跌到預(yù)設(shè)閾值觸發(fā)高優(yōu)先級中斷中斷里立刻調(diào)用MRAM_WriteBuffer把200字節(jié)關(guān)鍵數(shù)據(jù)寫進(jìn)去。MRAM寫入200字節(jié)在10MHz SPI下大概是0.2毫秒加上中斷響應(yīng)和壓棧整體不到1毫秒。也就是說20ms的維持時間提供了接近20倍的余量非常安全。把關(guān)鍵數(shù)據(jù)保存完之后如果有額外時間我還會再把當(dāng)前MRAM寫地址和校驗(yàn)和保存一遍。這些數(shù)據(jù)本身就是寫到MRAM里的所以整個掉電保存過程在幾毫秒內(nèi)全部完成。換成Flash的話光擦除一個扇區(qū)就要幾十毫秒電容容量得撐到幾百毫秒級別成本和PCB面積都會嚇人。4.2 數(shù)據(jù)幀加CRC墊底可靠性MRAM本身不依賴電荷存儲抗翻轉(zhuǎn)能力比Flash強(qiáng)但工業(yè)現(xiàn)場的強(qiáng)電磁干擾依然可能在SPI傳輸過程中破壞數(shù)據(jù)鏈路。我的習(xí)慣是所有寫入MRAM的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)都帶幀頭和校驗(yàn)字節(jié)讀取的時候先驗(yàn)證再使用。一個簡單實(shí)用的幀結(jié)構(gòu)如下typedef struct { unsigned char head[2]; // 固定為0xAA 0x55 unsigned char cmd; // 幀類型 unsigned char len; // 數(shù)據(jù)長度 unsigned char data[64]; // 業(yè)務(wù)數(shù)據(jù) unsigned char crc; // CRC8 } DATA_FRAME;CRC8用多項式0x07即可代碼短查表或位運(yùn)算都行。下面是一個極簡逐位實(shí)現(xiàn)unsigned char CRC8_Calc(const unsigned char *buf, unsigned char len) { unsigned char crc 0; while(len--) { crc ^ *buf; for(unsigned char i 0; i 8; i) { if(crc 0x80) crc (crc 1) ^ 0x07; else crc 1; } } return crc; }寫入時先算好CRC填入幀尾讀取時重新計算并與幀尾比較。如果CRC不匹配先不要急著丟棄可以對備用區(qū)重復(fù)讀一次排除SPI總線上的瞬時毛刺。連續(xù)兩次CRC校驗(yàn)都失敗才判定該數(shù)據(jù)損壞。這種冗余策略在電機(jī)、變頻器附近的設(shè)備上非常管用。4.3 雙備份與環(huán)形日志區(qū)啟動參數(shù)區(qū)我堅持用雙份鏡像。一份在0x00000另一份在0x01000。每次更新參數(shù)時先寫備份區(qū)并加CRC確認(rèn)無誤后覆蓋主用區(qū)。讀取時優(yōu)先讀主用區(qū)CRC校驗(yàn)失敗就自動切換到備份區(qū)。MRAM寫入不需要擦除所以雙份更新的時間開銷很小完全值得做。環(huán)形日志區(qū)也有講究。我把日志區(qū)設(shè)計成定長記錄每條記錄頭部包含序號和時間戳。寫指針本身存放在MRAM的固定地址每次上電讀出來繼續(xù)寫。掉電時可能發(fā)生寫了一半的情況解決方法是每條記錄的最后一個字節(jié)固定為0x5A讀取時如果發(fā)現(xiàn)結(jié)尾不是0x5A判定該條記錄不完整并跳過。這樣即使掉電發(fā)生在日志寫入的中間也不會影響前面的歷史數(shù)據(jù)。4.4 狀態(tài)寄存器與寫保護(hù)引腳的正確姿勢MR25H40CDF的狀態(tài)寄存器里有一個WEL位bit0它是寫使能鎖存器。寫入命令之前必須先經(jīng)過WREN把WEL置1寫操作結(jié)束后WEL自動清0。調(diào)試時可以讀狀態(tài)寄存器確認(rèn)鎖存器的狀態(tài)但正常流程不需要關(guān)心它。真正需要關(guān)心的是/WP引腳。如果/WP被拉低即使軟件里發(fā)了WREN狀態(tài)寄存器的寫入也會被禁止。不過要注意MRAM的/WP默認(rèn)只保護(hù)狀態(tài)寄存器不保護(hù)數(shù)據(jù)區(qū)。如果你希望某個區(qū)域變成只讀就必須把塊保護(hù)位寫進(jìn)狀態(tài)寄存器。工業(yè)場景下出廠校準(zhǔn)區(qū)和引導(dǎo)區(qū)建議用塊保護(hù)鎖定防止現(xiàn)場誤寫入。這一塊的具體位定義要嚴(yán)格對照數(shù)據(jù)手冊不同批次可能會有差異我用的板子上是BP0到BP3控制不同扇區(qū)范圍。還有一個容易忽略的點(diǎn)MRAM進(jìn)入SLEEP模式后讀數(shù)據(jù)會返回全1。如果芯片意外進(jìn)入睡眠代碼里可能會誤報“存儲數(shù)據(jù)全是0xFF”。處理方法是初始化時先發(fā)0xAB喚醒指令。哪怕上電默認(rèn)不處于睡眠態(tài)發(fā)一次喚醒也沒有副作用。5. 調(diào)試實(shí)錄與常見問題速查5.1 排查思路先抓CS時序再查SPI模式MRAM調(diào)試踩坑九成問題出在三個地方CS時序、SPI模式、寫使能。排查順序我建議固定下來。第一步用邏輯分析儀抓CS、SCLK、SI、SO四根線。發(fā)一條WREN指令看CS是否在0x06發(fā)送完成后立刻拉高。再發(fā)一條READ命令看CS拉低期間是否完整發(fā)送了0x03加三個字節(jié)地址。CS時序不對后續(xù)所有排查都白搭。第二步確認(rèn)SPI模式。MRAM支持模式0和模式3兩者共用相同指令集只是時鐘極性和采樣邊沿不同。用邏輯分析儀看SCLK空閑電平低電平且數(shù)據(jù)在上升沿鎖存就是模式0。如果SCLK空閑為高就要切換成模式3對應(yīng)PIC上的CKP1、CKE0。第三步確認(rèn)寫使能。如果讀出來的數(shù)據(jù)全是舊值或者全是0xFF先確認(rèn)寫操作指令序列里有沒有WRENCS高電平這一對組合。很多移植過來的代碼在原本的Flash驅(qū)動里沒寫使能這步因?yàn)橛行〧lash自帶寫使能MRAM在這里就是缺一不可。5.2 四個真實(shí)案例案例一讀出固定0xFF。排查過程先量VCC發(fā)現(xiàn)只有2.5VMRAM在欠壓狀態(tài)下行為異常。換到3.3V正常。這個案例提醒我MRAM的低壓邊界是2.7V供電裕量不足時不該找軟件背鍋。案例二打印日志時數(shù)據(jù)偶發(fā)錯位。抓邏輯分析儀發(fā)現(xiàn)SCLK波形上升沿非常緩原因是SCK線上并了100pF電容把邊沿拖慢了。SPI數(shù)據(jù)在上升沿采樣時正好采到了不穩(wěn)的電平。把電容去掉后問題消失。工業(yè)板上的濾波電容不是越小越好也不是越大越好得結(jié)合通信速率來配。案例三寫數(shù)據(jù)后馬上讀偶發(fā)出現(xiàn)舊數(shù)據(jù)。檢查發(fā)現(xiàn)是MCU的SPI時鐘分頻配置有誤實(shí)際SPI時鐘接近25MHz超過了MR25H40CDF在高溫下的實(shí)際可靠頻率。把分頻系數(shù)調(diào)整到10MHz后連續(xù)跑48小時再沒出過錯。案例四掉電保存偶爾無效。查到掉電檢測中斷優(yōu)先級設(shè)得太低在保存流程還沒跑完的時候被其他外設(shè)中斷打斷了。解決方法是保存流程里臨時代碼段進(jìn)入關(guān)中斷狀態(tài)保存完畢再恢復(fù)。MRAM寫入本身很快關(guān)中斷幾百微秒對系統(tǒng)影響可以忽略。5.3 常見問題速查表現(xiàn)象可能原因處理方法寫不進(jìn)去讀出來是舊值未發(fā)WREN寫數(shù)據(jù)前先WREN并拉高CS寫不進(jìn)去讀出來全0xFF/WP被拉低把/WP接VCC讀出來全0xFF芯片進(jìn)入SLEEP初始化發(fā)0xAB喚醒讀寫數(shù)據(jù)錯位SPI Mode配置不對檢查CKP/CKE組合偶發(fā)讀錯數(shù)據(jù)時鐘太快或信號邊沿差降低SPI分頻檢查串阻掉電保存數(shù)據(jù)丟失電容容量不夠按公式核算維持時間一個地址寫不進(jìn)其他地址正常塊保護(hù)BP位被設(shè)置檢查狀態(tài)寄存器高溫時讀寫異常接近溫度上限且時鐘過高降頻使用6. 寫在最后的經(jīng)驗(yàn)如果讓我重新做一遍這個項目硬件上我會把MRAM的SCLK和SDI之間預(yù)留兩個測試點(diǎn)方便焊接邏輯分析儀探頭軟件上我會在一開始就把CRC校驗(yàn)和雙備份做進(jìn)去而不是等現(xiàn)場出了問題再補(bǔ)。調(diào)試MRAM的這幾天最深的體會是這種芯片省掉的不是成本而是心智負(fù)擔(dān)。不用考慮擦除、磨損、壞塊驅(qū)動代碼寫到能跑就基本穩(wěn)定了。希望這篇文章能讓更多做工業(yè)嵌入式的人少走彎路直接享受到MRAM帶來的省心體驗(yàn)。