高盛Goldman Sachs在2026年10月1日的研究報告中將2027年DRAM供需缺口從原先預測的-2.5%下修至**-5.9%缺口深度超過兩倍NAND也預估出現(xiàn)-4.6%**的短缺且嚴重緊俏將延續(xù)到2028年。高盛甚至用上了過去15年最嚴重的供需這一表述。本文拆解這組數(shù)字的來源、結(jié)構(gòu)性判斷的三個依據(jù)以及對主要存儲廠商的含義。30秒要點2027年DRAM供需平衡-2.5% →-5.9%NAND-4.6%。2028年預計仍在負區(qū)間DRAM -3.0%、NAND -3.9%。結(jié)構(gòu)性的三個依據(jù)AI服務(wù)器需求的可見性、受限的供給增長、同時鎖住量與價的長期供貨協(xié)議LTA。詞元token的數(shù)學高盛預測全球詞元消耗到2030年增長24倍、達每月120垓quadrillion個——詞元消耗直接對應(yīng)內(nèi)存需求。鎧俠正把2028年產(chǎn)量的50%用LTA鎖住其2026年NAND產(chǎn)能已被客戶訂單賣光。韓國視角三星電子、SK海力士站在定價權(quán)頂點。KB證券預估2027年HBM價格同比100%三星HBM營收中HBM4占比從40%升至80%。一、數(shù)字的解剖-5.9%是怎么來的供需平衡supply-demand balance是供給相對需求的缺溢率負值代表需求超過供給即短缺?？茨甓茸邉萁Y(jié)構(gòu)就清楚了2025年DRAM -0.9% / NAND -0.8%與2026年-1.4% / -0.6%是溫和短缺到2027年像懸崖一樣加深2028年也沒有回到正區(qū)間。不是V型也不是U型更像L型——先加深再緩慢回升。為什么偏偏是2027年需求端AI服務(wù)器用內(nèi)存爆發(fā)供給端擴產(chǎn)追不上需求。KB證券分析指出不含HBM的通用DRAM產(chǎn)能占比將從2025年的73%降至2027年的59%——晶圓產(chǎn)能被HBM吸走通用DRAM隨之萎縮。供給減少價格就漲。二、為何這次是結(jié)構(gòu)性的三個理由第一AI服務(wù)器需求的可見性。過去周期的需求系于PC、手機的換機周期難以預測。現(xiàn)在不同AI數(shù)據(jù)中心的內(nèi)存需求如實反映在超大規(guī)模云廠商的資本支出capex計劃里服務(wù)器用內(nèi)存占2026~2027年整體DRAM需求的50%以上。需求看得見供給方就沒有理由陷入過度擴產(chǎn)的誘惑。第二受限的供給增長。三巨頭三星、SK海力士、美光維持供應(yīng)紀律supply discipline——不把晶圓廠開滿、守住價格。美光產(chǎn)能到2027年都綁在每月12萬~14萬片的水位SK海力士2026年HBM產(chǎn)量已經(jīng)賣光。而新廠從動工到量產(chǎn)需要約3年供給彈性天然受限。第三LTA的僵化。長期供貨協(xié)議把量與價同時鎖住。美光已拿到客戶超過320億美元的LTA承諾鎧俠正把2028年產(chǎn)量的50%用LTA綁住。合約越長現(xiàn)貨市場的價格信號越鈍周期的振幅越小過去誰先擴產(chǎn)的膽小鬼博弈難以重演。三者咬合結(jié)論只有一個短缺延續(xù)到2028年甚至更久。SK海力士CEO在2026年7月表示2027年是最糟的一年需求超過供給的狀態(tài)會延續(xù)到2030年之后美光CEO也在2026年9月財報中斷言2027年與2028年的供需會比今年緊得多。三、詞元的數(shù)學24倍、每月120垓個追溯內(nèi)存需求的根源會找到詞元。高盛預測隨著自主AI智能體agent擴散全球詞元消耗到2030年增長24倍、每月達120垓個。智能體在給出一個答案之前要經(jīng)過請求解讀→工具選擇→數(shù)據(jù)檢索→結(jié)果評估→反復調(diào)用 看得見的答案只是全部詞元的一小部分。詞元單價在跌但每個任務(wù)的詞元消耗爆炸性增長。詞元與內(nèi)存的關(guān)系是直接的推理1個詞元要消耗HBM帶寬智能體的上下文維持要占用DRAM容量。詞元24倍就是內(nèi)存比特需求的結(jié)構(gòu)性上調(diào)。這也是高盛把HBM市場規(guī)模預測從2027年的750億美元上調(diào)到1,160億美元的背景?？梢哉f詞元經(jīng)濟就是內(nèi)存經(jīng)濟。四、鎧俠的50%LTA這件武器這次周期中動作最激進的是鎧俠。這家NAND專業(yè)廠的目標是把2028年出貨量的50%用長期供貨協(xié)議綁住。早在2026年2月鎧俠就確認2026年NAND產(chǎn)能已被客戶訂單完全鎖住部分超大規(guī)?？蛻羯踔撂岢隽撕w2027~2028年的長期供應(yīng)需求其與SanDisk在四日市的合資合約也延長到2034年底。LTA 50%的含義是雙面的對供應(yīng)者是波動性對沖價格跌了也有一半受保障對市場則是緊俏的固化流到現(xiàn)貨市場的量少了一半。高盛已把鎧俠從Hold上調(diào)到Buy并將20272029年營業(yè)利潤預測上調(diào)1648%預估毛利率達80%水平。對內(nèi)存這種景氣敏感產(chǎn)業(yè)給出3年期的高盈利預測是異常強烈的表述。五、贏家、輸家與風險三星電子全球第一DRAM廠商 HBM4領(lǐng)導地位。KB證券認為2027年HBM售價同比漲100%以上三星HBM營收中HBM4占比將從40%跳到80%。通用DRAM產(chǎn)能移往HBM73%→59%連通用DRAM價格一起拉抬形成雙重效果。SK海力士HBM王座 鎧俠持股。2026年HBM已售罄是2027年漲價的最大受益者NAND方面也有通過鎧俠持股的間接受益。美光320億美元LTA承諾鎖住需求可見性營業(yè)利潤率站在70%級別的頂點。鎧俠NAND短缺的純受益者。eSSD占NAND營收超過60%年底預估產(chǎn)品組合正轉(zhuǎn)向數(shù)據(jù)中心高毛利。風險同樣要寫清楚消費端AI工作流擴散緩慢是核心下行風險。智能手機生產(chǎn)預估2026年同比下降15~20%筆記本出貨也減少約10%。如果AI只在數(shù)據(jù)中心里轉(zhuǎn)、沒有擴散到消費裝置內(nèi)存需求中消費端的那部分就會落空。另外TrendForce對NAND提出2027年供給追上需求的不同看法與高盛的-4.6%相左——NAND一側(cè)需要留意視角差異。六、韓國視角定價權(quán)的頂點對韓國內(nèi)存雙雄這次周期很特別。過去它們是膽小鬼博弈的受害者現(xiàn)在是供應(yīng)紀律的設(shè)計者。高盛估算2026年通用DRAM價格同比上漲176%營業(yè)利潤率70~80%是半導體史上都罕見的區(qū)間。關(guān)鍵在于這個局面被設(shè)計成3年期而非1年期LTA鋪好了、擴產(chǎn)慢了、詞元需求撐著。但戒心也需要。需求方中也有認為短缺已經(jīng)結(jié)束的視角例如宏碁CEO還有2027年底~2028年初供給急增的劇本。結(jié)構(gòu)性的判斷與周期頂點之間只差一張紙。FAQQ1. 高盛原始報告看得到嗎原文是高盛客戶專屬研究沒有公開。本文數(shù)字是整理其2026年10月1日報告的二次摘要并與行業(yè)報道交叉驗證。投資判斷前請確認原文。Q2. DRAM -5.9%、NAND -4.6%是確定值嗎不是是2027年預測值estimate。這是高盛把原先預測-2.5%下修兩倍以上的數(shù)字實際供需會隨需求與擴產(chǎn)速度變化。Q3. 詞元24倍預測和內(nèi)存直接相關(guān)嗎間接但結(jié)構(gòu)性。AI智能體的詞元消耗增加 → 推理用HBM帶寬需求 → 數(shù)據(jù)中心DRAM/NAND需求擴大是同一條鏈。高盛把HBM市場預測從750億美元上調(diào)到1,160億美元也是同一脈絡(luò)。Q4. NAND方面不是有不同看法嗎對。TrendForce認為2027年NAND供給會追上需求。與高盛的-4.6%有視角差NAND這邊宜保守看待。DRAM方面的異議較少。本文首發(fā)于 VLSI Korea韓國半導體產(chǎn)業(yè)媒體為原文的中文再編輯版。原文鏈接https://www.vlsi.kr/zh/goldman-sachs-2027-dram-nand-memory-shortage-zh/免責聲明本文不是投資建議。文中數(shù)字為估計值投資決策前請務(wù)必確認官方資料。