做工業(yè)設(shè)備這幾年真正讓我頭疼的往往不是算法和通信協(xié)議而是最不起眼的“存數(shù)據(jù)”。之前做一個(gè)電力參數(shù)記錄模塊用MCU內(nèi)部Flash頻繁改寫參數(shù)設(shè)備運(yùn)行一年半以后寫入時(shí)間越來(lái)越長(zhǎng)最后干脆寫不進(jìn)去——查了Flash的擦寫壽命只有十萬(wàn)次而現(xiàn)場(chǎng)一天要寫幾十次不磨穿才怪。后來(lái)把存儲(chǔ)方案換成 Everspin 的 MR25H40CDF配合 TI 的 TM4C129XKCZAD工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的參數(shù)存儲(chǔ)和日志讀寫問(wèn)題才算徹底解決。這篇文章就專門聊聊這套組合的完整落地過(guò)程為什么選 MRAM 而不是 Flash、硬件上怎么接、驅(qū)動(dòng)怎么寫、掉電保護(hù)怎么做以及實(shí)際調(diào)試中踩過(guò)的一堆坑。1. 為什么工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的數(shù)據(jù)這么難存Flash 的壽命短板與 MRAM 的用武之地1.1 工業(yè)存儲(chǔ)的真實(shí)需求沒(méi)那么簡(jiǎn)單很多人覺(jué)得“存數(shù)據(jù)”不就是往存儲(chǔ)器里寫字節(jié)嘛庫(kù)函數(shù)一調(diào)就完事。真到工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)你就會(huì)發(fā)現(xiàn)需求遠(yuǎn)比想象中苛刻參數(shù)要頻繁改寫。比如設(shè)備校準(zhǔn)系數(shù)、累計(jì)運(yùn)行時(shí)間、報(bào)警閾值一天可能要更新幾十次甚至上百次常年累月下來(lái)寫入次數(shù)非?？捎^。斷電瞬間不能丟數(shù)據(jù)?，F(xiàn)場(chǎng)設(shè)備隨時(shí)可能被直接拉閘你永遠(yuǎn)不知道下一次停電發(fā)生在哪條指令執(zhí)行到一半的時(shí)候。溫度范圍寬。配電柜、電機(jī)旁邊、戶外機(jī)箱-40℃ 到 85℃ 都不稀奇消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)片基本不敢用。上電就要能快速讀回配置不能每次開機(jī)都花幾百毫秒等著擦除或初始化。這些需求疊加起來(lái)MCU 內(nèi)部 Flash 的短板就非常明顯寫入前要擦除擦除粒度是 4KB 一個(gè)扇區(qū)壽命普遍在十萬(wàn)次級(jí)別而且擦寫過(guò)程耗時(shí)不可忽略。你把參數(shù)存內(nèi)部 Flash一年半載之后就會(huì)遇到我開頭說(shuō)的那種情況——寫入越來(lái)越慢最后報(bào)錯(cuò)。1.2 MR25H40CDF 是個(gè)什么東西MR25H40CDF 是 Everspin 的 4Mbit 串行 MRAM也就是磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它內(nèi)部的核心存儲(chǔ)單元是磁隧道結(jié)MTJ用磁性狀態(tài)而不是電荷來(lái)保存數(shù)據(jù)。這個(gè)原理帶來(lái)了幾個(gè)很實(shí)在的好處寫入不需要擦除直接覆蓋像 SRAM 一樣痛快。寫入耐久度極高標(biāo)稱在 10 的 16 次方次級(jí)別基本可以認(rèn)為“隨便寫寫不壞”。斷電后依靠磁性狀態(tài)保持?jǐn)?shù)據(jù)不需要電池?cái)?shù)據(jù)保持年限按 20 年以上設(shè)計(jì)?？馆椛?、抗電磁干擾能力比電荷存儲(chǔ)器件好很多很適合電機(jī)、變頻器這類電磁環(huán)境惡劣的工業(yè)場(chǎng)合。MR25H40CDF 的容量是 4Mbit也就是 512KB對(duì)工業(yè)配置參數(shù)加日志緩沖來(lái)說(shuō)非常合適。SPI 接口支持 Mode 0 和 Mode 3工作電壓 2.7V 到 3.6V工業(yè)級(jí)溫度范圍封裝也不大。我們項(xiàng)目里把它當(dāng)“掉電不丟的小容量硬盤”用。1.3 和幾個(gè)常見方案對(duì)比一下我整理過(guò)一張對(duì)比表項(xiàng)目選型的時(shí)候反復(fù)看了很多遍方案寫入速度寫入壽命掉電保持典型容量主要麻煩內(nèi)部 Flash中等需擦除約10萬(wàn)次好由MCU決定壽命短、擦寫慢、占用程序空間外部 EEPROM慢約100萬(wàn)次好幾百KB以下容量小、寫慢、價(jià)格不便宜FRAM快無(wú)需擦除約10的12次方好幾十KB到幾MB大容量型號(hào)貴、選擇少SRAM電池快無(wú)限依賴電池看SRAM容量要換電池不適合免維護(hù)設(shè)備SPI NOR Flash中等需擦除約10萬(wàn)次好4MB到數(shù)百M(fèi)B壽命短、需要壞塊管理MRAM快無(wú)需擦除約10的16次方好256KB到幾十MB每bit成本相對(duì)高最后定 MRAM核心原因就兩個(gè)字省心。省掉了擦除邏輯、壞塊管理、磨損均衡把“寫存儲(chǔ)”變成“寫內(nèi)存”開發(fā)成本直接降一大截。至于成本工業(yè)設(shè)備里存儲(chǔ)芯片不是 BOM 大頭穩(wěn)定性和開發(fā)效率遠(yuǎn)比那幾塊錢差價(jià)重要。2. TM4C129XKCZAD 的 SSI 資源與 MR25H40CDF 的硬件連接要點(diǎn)2.1 為什么控制器選 TM4C129XKCZADTM4C129XKCZAD 屬于 TI Tiva C 系列Cortex-M4F 內(nèi)核主頻 120MHz這個(gè)型號(hào)在 Tiva C 系列里屬于集成度比較高的內(nèi)部 Flash 和 SRAM 都?jí)蛴脦б蕴W(wǎng) MACPHY、USB、多路 UART、多路 SSI也就是 SPI。選它做工業(yè)主控有幾個(gè)實(shí)際考慮內(nèi)核帶硬件浮點(diǎn)單元做采集計(jì)算和算法處理不吃力。自帶以太網(wǎng) PHY后續(xù)要把設(shè)備數(shù)據(jù)傳到上位機(jī)或者云平臺(tái)不用外掛 PHY 芯片硬件設(shè)計(jì)省一大塊。外設(shè)多特別是 SSI 模塊有好幾個(gè)留給存儲(chǔ)、傳感器、顯示各一路互不打架。工業(yè)級(jí)溫度范圍跑現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境比普通消費(fèi)級(jí) MCU 穩(wěn)。在存儲(chǔ)這個(gè)具體需求上我們主要用到它的 SSI 外設(shè)加上幾個(gè)普通 GPIO后面如果要做網(wǎng)絡(luò)日志上傳以太網(wǎng)通道就是現(xiàn)成的。2.2 硬件連接里最容易被忽略的引腳MR25H40CDF 的標(biāo)準(zhǔn) SPI 接口是 CS#、SCLK、SI、SO 四個(gè)信號(hào)外加一個(gè) WP# 寫保護(hù)腳和一個(gè) HOLD# 暫停腳。很多人第一次畫原理圖時(shí)只關(guān)注那四個(gè) SPI 信號(hào)把 WP# 和 HOLD# 隨便處理后面調(diào)試就出各種奇怪問(wèn)題。我整理一下我們量產(chǎn)板的連接方式MR25H40CDF 信號(hào)連接目標(biāo)處理方式CS#MCU GPIO普通 GPIO 控制低電平有效不要用 SSI 硬件 FSS 自動(dòng)控制方便手動(dòng)控制片選時(shí)序SCLKMCU SSI0Clk直接連接線長(zhǎng)超過(guò) 5cm 建議串 22Ω 到 33Ω 電阻SIMCU SSI0Tx主出從入直接連接SOMCU SSI0Rx主入從出直接連接WP#MCU GPIO 或 3.3V不用寫保護(hù)功能時(shí)上拉到 3.3V使芯片處于可寫狀態(tài)要做配置區(qū)鎖定時(shí)用 GPIO 控制HOLD#3.3V 上拉必須上拉懸空時(shí)可能誤入暫停狀態(tài)導(dǎo)致讀數(shù)據(jù)錯(cuò)位VDD3.3V旁邊放 100nF 去耦電容電源入口再放 10uF 電解電容GNDGND推薦在芯片下方鋪地不要只是單點(diǎn)連線這里重點(diǎn)說(shuō)兩個(gè)腳。第一個(gè)是 HOLD#它在低電平時(shí)會(huì)讓芯片暫停當(dāng)前操作并忽略時(shí)鐘如果懸空周圍電磁噪聲一干擾芯片可能突然“僵住”你這邊 SPI 時(shí)鐘敲了半天它不響應(yīng)讀回來(lái)的全是垃圾數(shù)據(jù)。第二個(gè)是 WP#它低電平時(shí)啟用寫保護(hù)跟狀態(tài)寄存器里的 WPEN 位配合可以鎖定部分或全部地址區(qū)域。我們實(shí)際項(xiàng)目里把 WP# 接到了 GPIO平時(shí)輸出高電平允許寫入只有在“上鎖配置區(qū)”這個(gè)軟件流程里才短暫拉低。2.3 電源、地線和上電順序MR25H40CDF 的工作電壓是 2.7V 到 3.6VTM4C129 的 IO 也是 3.3V 電平兩者可以直接連不需要電平轉(zhuǎn)換。唯一要注意的是電源質(zhì)量工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)如果電源紋波大SPI 高速通信時(shí)容易出隨機(jī)誤碼。我們?cè)诎遄由辖o MRAM 的 VDD 做了簡(jiǎn)單濾波就近放了 100nF芯片和 MCU 的電源域之間再放一個(gè)磁珠實(shí)測(cè)紋波從 80mV 降到了 20mV 以內(nèi)錯(cuò)誤率明顯下降。上電順序倒不用太糾結(jié)因?yàn)閮烧吖灿猛粋€(gè) 3.3V 域。不過(guò)建議軟件里做一步保險(xiǎn)系統(tǒng)時(shí)鐘穩(wěn)定后延時(shí) 10ms 再訪問(wèn) MRAM避免 MCU 復(fù)位期間 GPIO 出現(xiàn)毛刺把 CS# 拉了一下導(dǎo)致誤寫入。2.4 硬件焊好之后先別急著寫代碼我習(xí)慣是先上電用示波器把幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)量一遍再開始寫驅(qū)動(dòng)量 VDD 對(duì) GND 電壓確認(rèn)在 3.3V 附近穩(wěn)定。量 HOLD# 引腳確認(rèn)是高電平不是懸空狀態(tài)。量 WP# 引腳確認(rèn)我們初始化的 GPIO 輸出是想要的電平。手動(dòng)用示波器觸發(fā)看一次 CS# 拉低再拉高的過(guò)程確認(rèn) GPIO 控制正常。這些檢查十分鐘搞定能省掉后面兩三個(gè)小時(shí)的軟件調(diào)試時(shí)間。3. MR25H40CDF 的命令集與時(shí)序它不是 Flash但操作起來(lái)像 Flash3.1 命令集總覽MR25H40CDF 的指令風(fēng)格和 SPI NOR Flash 非常相似這讓很多從 Flash 方案遷移過(guò)來(lái)的工程師上手很快。常用命令如下命令指令碼功能說(shuō)明WREN0x06寫使能寫操作之前必須先發(fā)這個(gè)WRDI0x04寫禁止RDSR0x05讀狀態(tài)寄存器WRSR0x01寫狀態(tài)寄存器配置寫保護(hù)區(qū)域READ0x03普通讀支持連續(xù)讀FAST_READ0x0B高速讀帶 dummy byte大塊數(shù)據(jù)讀取時(shí)用WRITE0x02寫數(shù)據(jù)不需要擦除直接覆蓋SLEEP0xB9進(jìn)入睡眠模式降低功耗WAKE0xAB喚醒退出睡眠模式注意 MRAM 寫數(shù)據(jù)和 Flash 的本質(zhì)差異Flash 寫之前要確保目標(biāo)區(qū)域已被擦除否則只能把 1 寫成 0不能把 0 寫成 1MRAM 沒(méi)有這個(gè)問(wèn)題每個(gè) bit 都可以獨(dú)立寫 0 或?qū)?1所以完全不需要“先擦除再寫”這套流程。3.2 狀態(tài)寄存器與寫保護(hù)邏輯狀態(tài)寄存器里有一個(gè)關(guān)鍵位是 WPEN它和硬件引腳 WP# 共同決定寫保護(hù)范圍。具體邏輯是WP# 為低電平時(shí)根據(jù)狀態(tài)寄存器里設(shè)置的保護(hù)位可以鎖定全部地址區(qū)域或者只鎖定頭部區(qū)域WP# 為高電平時(shí)即使?fàn)顟B(tài)寄存器設(shè)置了保護(hù)位也只會(huì)有一部分被保護(hù)。我們項(xiàng)目里對(duì)這個(gè)功能的用法很保守初始狀態(tài)下 WP# 拉高允許正常讀寫如果要防止現(xiàn)場(chǎng)誤寫就在軟件里先把關(guān)鍵參數(shù)寫完然后拉低 WP#同時(shí)把狀態(tài)寄存器的保護(hù)位設(shè)好。這樣即使程序跑飛也很難誤改配置區(qū)。這里還有一個(gè)細(xì)節(jié)MRAM 不像 Flash 有個(gè)明顯的 WIP寫忙狀態(tài)位因?yàn)閷懖僮鲙缀跛查g完成。我從數(shù)據(jù)手冊(cè)確認(rèn)了這個(gè)型號(hào)沒(méi)有需要輪詢的忙標(biāo)志所以寫完成后直接做讀回校驗(yàn)就行不需要等待擦除時(shí)間。3.3 一次完整寫入動(dòng)作的時(shí)序拆解不要一上來(lái)就寫代碼先把單次寫操作的時(shí)序在紙上過(guò)一遍CS# 拉低。發(fā)送 WREN0x06命令。CS# 拉高結(jié)束寫使能命令。CS# 拉低。發(fā)送 WRITE0x02命令。發(fā)送 3 字節(jié)地址MR25H40CDF 容量 512KB地址是 19 位有效按 A18~A0 放在 3 個(gè)字節(jié)里高位字節(jié)低 5 位有效其他位填 0 即可。連續(xù)發(fā)送待寫入數(shù)據(jù)字節(jié)每個(gè)字節(jié)同時(shí)會(huì)從 MISO 上收回來(lái)一個(gè)無(wú)效字節(jié)直接忽略。全部發(fā)完后 CS# 拉高寫操作完成。讀操作更簡(jiǎn)單CS# 拉低發(fā) 0x03 命令發(fā) 3 字節(jié)地址然后連續(xù)發(fā)送 dummy 字節(jié)產(chǎn)生時(shí)鐘每個(gè)時(shí)鐘沿從 MISO 上讀回一個(gè)有效數(shù)據(jù)字節(jié)最后 CS# 拉高。關(guān)鍵提醒在 SPI 里發(fā)送和接收是同時(shí)進(jìn)行的。你發(fā)一個(gè)地址字節(jié)出去的時(shí)候MISO 上同時(shí)會(huì)移出一個(gè)舊數(shù)據(jù)這個(gè)舊數(shù)據(jù)要丟到否則讀回來(lái)的第一個(gè)字節(jié)就會(huì)錯(cuò)位。很多新手在這里栽跟頭讀出來(lái)第一個(gè)字節(jié)是 FF 或者上一個(gè)地址的殘留數(shù)據(jù)。4. TM4C129 SSI 驅(qū)動(dòng)落地初始化、底層收發(fā)與讀寫 API 封裝4.1 SSI 外設(shè)初始化配置TM4C129 的 SSI 模塊可以配置成 SPI 主模式幀格式選 Freescale SPI位寬 8 位。我們工作時(shí)鐘設(shè)的是 16MHz在工業(yè)環(huán)境里這個(gè)速率比較保守但穩(wěn)定第一。如果現(xiàn)場(chǎng)干擾不大后續(xù)可以往上調(diào)。用 TivaWare 庫(kù)初始化的關(guān)鍵代碼如下#include stdint.h #include stdbool.h #include inc/hw_memmap.h #include inc/hw_ssi.h #include driverlib/sysctl.h #include driverlib/gpio.h #include driverlib/ssi.h #include driverlib/pin_map.h #define MRAM_CS_BASE GPIO_PORTA_BASE #define MRAM_CS_PIN GPIO_PIN_3 #define MRAM_WP_BASE GPIO_PORTA_BASE #define MRAM_WP_PIN GPIO_PIN_6 static void mram_gpio_init(void) { // 啟用 SSI0 和 GPIOA 時(shí)鐘 SysCtlPeripheralEnable(SYSCTL_PERIPH_SSI0); SysCtlPeripheralEnable(SYSCTL_PERIPH_GPIOA); // 配置 SSI0 引腳復(fù)用 GPIOPinConfigure(GPIO_PA2_SSI0CLK); GPIOPinConfigure(GPIO_PA4_SSI0RX); GPIOPinConfigure(GPIO_PA5_SSI0TX); GPIOPinTypeSSI(GPIO_PORTA_BASE, GPIO_PIN_2 | GPIO_PIN_4 | GPIO_PIN_5); // CS# 和 WP# 用普通 GPIO GPIOPinTypeGPIOOutput(MRAM_CS_BASE, MRAM_CS_PIN); GPIOPinTypeGPIOOutput(MRAM_WP_BASE, MRAM_WP_PIN); GPIOPinWrite(MRAM_CS_BASE, MRAM_CS_PIN, MRAM_CS_PIN); // CS# 默認(rèn)拉高 GPIOPinWrite(MRAM_WP_BASE, MRAM_WP_PIN, MRAM_WP_PIN); // WP# 默認(rèn)拉高允許寫入 } static void mram_ssi_init(void) { // 系統(tǒng)時(shí)鐘作為 SSI 時(shí)鐘源目標(biāo)速率 16MHzMode 0主模式8 位 SSIConfigSetExpClk(SSI0_BASE, SysCtlClockGet(), 16000000, SSI_FRF_MOTO_MODE_0, SSI_MODE_MASTER, 8); SSIEnable(SSI0_BASE); }這里有兩個(gè)細(xì)節(jié)要注意第一GPIOPinConfigure 里的引腳復(fù)用名稱要和實(shí)際選的引腳對(duì)應(yīng)不同封裝、不同 SSI 模塊的復(fù)用編號(hào)不一樣畫板前一定要在數(shù)據(jù)手冊(cè)的 pin mux 表里核對(duì)第二CS# 我堅(jiān)持用 GPIO 控制而不是用 SSI 的硬件 FSS原因是 MRAM 的寫命令需要先 CS# 拉低、發(fā) 0x06、再拉高然后再拉低發(fā) 0x02這種“命令之間 CS# 必須反跳”的動(dòng)作用硬件 FSS 很難做到干凈利落。4.2 底層 SPI 收發(fā)函數(shù)SPI 本質(zhì)是滿雙工所以底層只寫一個(gè)“發(fā)一字節(jié)同時(shí)收一字節(jié)”的函數(shù)static uint8_t spi_xfer(uint8_t out) { uint32_t rx; // 等待發(fā)送 FIFO 有空間 while (SSIDataPutNonBlocking(SSI0_BASE, out) 0) { } // 等待接收 FIFO 非空讀回?cái)?shù)據(jù) while (SSIDataGetNonBlocking(SSI0_BASE, rx) 0) { } return (uint8_t)rx; }如果不想用 TivaWare 的非阻塞函數(shù)也可以用 SSIDataPut 和 SSIDataGet它們自帶阻塞邏輯。但我在實(shí)際項(xiàng)目里更傾向于上面這種寫法因?yàn)槲铱梢约尤氤瑫r(shí)保護(hù)防止 SPI 總線異常時(shí)程序卡死在等待循環(huán)里static bool spi_xfer_timeout(uint8_t out, uint8_t *in, uint32_t timeout_us) { uint32_t tick 0; uint32_t rx 0; bool tx_ok false; bool rx_ok false; while (tick timeout_us) { if (!tx_ok SSIDataPutNonBlocking(SSI0_BASE, out)) { tx_ok true; } if (tx_ok SSIDataGetNonBlocking(SSI0_BASE, rx)) { rx_ok true; break; } // 實(shí)際延時(shí) 1us可用 SysCtlDelay 實(shí)現(xiàn) tick; } if (rx_ok in) { *in (uint8_t)rx; } return rx_ok; }這個(gè)超時(shí)版本在量產(chǎn)設(shè)備里非常重要。SPI 總線在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)偶爾會(huì)被干擾拉死如果沒(méi)有超時(shí)保護(hù)一個(gè) while 循環(huán)卡死整個(gè)系統(tǒng)就癱瘓了。加個(gè)超時(shí)錯(cuò)誤上報(bào)看門狗還能兜底。4.3 MRAM 讀寫 API 封裝有了底層收發(fā)MRAM 的讀寫函數(shù)就非常直接了#define MRAM_SIZE (512 * 1024) // 512KB #define MRAM_READ (0x03) #define MRAM_WRITE (0x02) #define MRAM_WREN (0x06) #define MRAM_RDSR (0x05) #define MRAM_SLEEP (0xB9) #define MRAM_WAKE (0xAB) #define MRAM_CS_LOW() GPIOPinWrite(MRAM_CS_BASE, MRAM_CS_PIN, 0) #define MRAM_CS_HIGH() GPIOPinWrite(MRAM_CS_BASE, MRAM_CS_PIN, MRAM_CS_PIN) static void mram_send_addr(uint32_t addr) { spi_xfer_timeout((uint8_t)((addr 16) 0xFF), NULL, 100); spi_xfer_timeout((uint8_t)((addr 8) 0xFF), NULL, 100); spi_xfer_timeout((uint8_t)(addr 0xFF), NULL, 100); } int mram_read(uint32_t addr, uint8_t *buf, uint32_t len) { uint8_t dummy; if (buf NULL || len 0 || (addr len) MRAM_SIZE) { return -1; } MRAM_CS_LOW(); spi_xfer_timeout(MRAM_READ, dummy, 100); mram_send_addr(addr); for (uint32_t i 0; i len; i) { spi_xfer_timeout(0x00, buf[i], 100); } MRAM_CS_HIGH(); return 0; } int mram_write(uint32_t addr, const uint8_t *buf, uint32_t len) { uint8_t dummy; if (buf NULL || len 0 || (addr len) MRAM_SIZE) { return -1; } // 第一步發(fā)送寫使能 MRAM_CS_LOW(); spi_xfer_timeout(MRAM_WREN, dummy, 100); MRAM_CS_HIGH(); // 第二步發(fā)送寫命令和地址、數(shù)據(jù) MRAM_CS_LOW(); spi_xfer_timeout(MRAM_WRITE, dummy, 100); mram_send_addr(addr); for (uint32_t i 0; i len; i) { spi_xfer_timeout(buf[i], dummy, 100); } MRAM_CS_HIGH(); // 第三步讀回校驗(yàn)確保關(guān)鍵數(shù)據(jù)寫對(duì)了 uint8_t check; if (mram_read(addr, check, 1) ! 0 || check ! buf[0]) { return -2; } return 0; }有人覺(jué)得寫完后讀回校驗(yàn)是浪費(fèi)時(shí)間但工業(yè)設(shè)備你就得這么干。MRAM 寫入可靠性確實(shí)高但 SPI 信號(hào)線的接觸不良、電源瞬態(tài)干擾、接線老化這些都會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)根本沒(méi)進(jìn)去。寫后讀回只要 1 個(gè)字節(jié)就能把絕大多數(shù)傳輸錯(cuò)誤抓出來(lái)。4.4 大數(shù)據(jù)塊讀寫與 DMA 優(yōu)化時(shí)機(jī)MRAM 支持連續(xù)讀、連續(xù)寫不需要按頁(yè)拆分所以日志記錄這種大批量操作很適合直接一個(gè)循環(huán)拷過(guò)去。但要注意一點(diǎn)如果每次都用輪詢方式一個(gè)字節(jié)一個(gè)字節(jié)地收發(fā)CPU 占用率會(huì)很高。16MHz 時(shí)鐘下一個(gè)字節(jié)大約 0.5us讀 1KB 數(shù)據(jù)就需要 512us期間 CPU 幾乎都在等 FIFO。當(dāng)單次讀寫長(zhǎng)度超過(guò) 64 字節(jié)、或者有實(shí)時(shí)任務(wù)需要跑時(shí)就該考慮 DMA 了。TM4C129 的 uDMA 可以直接在 SSI0 和內(nèi)存之間搬運(yùn)數(shù)據(jù)配置要點(diǎn)是選擇 SSI0 RX 和 TX 對(duì)應(yīng)的 DMA 通道。TX 通道使用內(nèi)存到外設(shè)模式RX 通道使用外設(shè)到內(nèi)存模式。傳輸完成后在 DMA 中斷里釋放信號(hào)量通知應(yīng)用層數(shù)據(jù)就緒。MRAM 讀操作需要先發(fā)命令和地址再連續(xù)產(chǎn)生時(shí)鐘收數(shù)據(jù)建議用“先手動(dòng)輪詢發(fā)完命令/地址再啟動(dòng) RX DMA 接收數(shù)據(jù)正文”的方式避免 DMA 把命令字節(jié)也當(dāng)成有效數(shù)據(jù)收進(jìn)來(lái)。我自己在實(shí)際項(xiàng)目里是輪詢和 DMA 混用的配置參數(shù)讀寫量小用輪詢加超時(shí)保護(hù)日志記錄塊動(dòng)輒幾百字節(jié)用 DMA。這樣既保證代碼簡(jiǎn)單又不占 CPU。4.5 實(shí)測(cè)速率和資源占用我們的配置是 16MHz SPI實(shí)測(cè)連續(xù)寫 512 字節(jié)耗時(shí)約 1.2ms連續(xù)讀 512 字節(jié)約 0.8ms算下來(lái)實(shí)際吞吐在 1.5MB/s 到 2MB/s 左右對(duì)工業(yè)參數(shù)和日志場(chǎng)景完全夠用。如果追求更高可以嘗試把 SSI 時(shí)鐘調(diào)到 20MHz 甚至 33MHz但線長(zhǎng)和板子布局就得重新評(píng)估了。5. 掉電保護(hù)與數(shù)據(jù)完整性雙區(qū)鏡像、寫保護(hù)與上電自檢5.1 硬件寫保護(hù)與狀態(tài)寄存器鎖定MRAM 雖然不怕頻繁寫但怕“亂寫”。程序跑飛、上電瞬間 GPIO 毛刺、電源跌落時(shí) CPU 執(zhí)行錯(cuò)誤代碼都有可能往存儲(chǔ)區(qū)寫入臟數(shù)據(jù)。我們的防護(hù)思路是三層硬件層WP# 平時(shí)保持高電平允許正常寫進(jìn)入“配置鎖定”狀態(tài)后拉低 WP#。軟件層每次寫操作前發(fā) WREN寫完成后立即返回不讓寫命令長(zhǎng)時(shí)間掛在總線上。應(yīng)用層關(guān)鍵參數(shù)區(qū)域通過(guò)狀態(tài)寄存器設(shè)置保護(hù)位鎖定后即使誤發(fā)寫命令也不生效。這里有個(gè)容易踩的細(xì)節(jié)狀態(tài)寄存器的寫保護(hù)配置本身也需要先發(fā) WREN 才能寫。所以“鎖定”這個(gè)動(dòng)作要放在所有參數(shù)寫完之后再做否則鎖了以后你想改配置還要先解鎖流程沒(méi)設(shè)計(jì)好會(huì)把自己鎖在外面。5.2 掉電檢測(cè)與數(shù)據(jù)落位順序MCU 檢測(cè)到掉電后通常只有幾毫秒到十幾毫秒的窗口時(shí)間用來(lái)保存數(shù)據(jù)。這時(shí)候你要做的是停止無(wú)關(guān)任務(wù)進(jìn)入緊急保存流程。先把要保存的數(shù)據(jù)計(jì)算好、封裝成完整塊。寫存儲(chǔ)時(shí)先寫“數(shù)據(jù)塊頭”里面包含 magic、版本號(hào)、長(zhǎng)度、CRC32數(shù)據(jù)塊正文跟在后面。全部寫完后再更新一個(gè)“提交標(biāo)志位”這個(gè)標(biāo)志位放在另一個(gè)地址區(qū)域。為什么要分兩步因?yàn)榈綦娍赡馨l(fā)生在寫入過(guò)程的中途。如果先寫數(shù)據(jù)、最后寫提交標(biāo)志那么掉電中斷時(shí)標(biāo)志還是舊的上電后發(fā)現(xiàn)不匹配就知道上一次保存沒(méi)完成自動(dòng)回滾到備份區(qū)。反過(guò)來(lái)如果先寫標(biāo)志再寫數(shù)據(jù)斷電后會(huì)出現(xiàn)“標(biāo)志新、數(shù)據(jù)舊”的錯(cuò)亂狀態(tài)。5.3 雙區(qū)鏡像與回滾工業(yè)設(shè)備最怕數(shù)據(jù)半新不舊。我們采用的方案是雙區(qū)鏡像區(qū)域起始地址用途A區(qū)0x00000當(dāng)前參數(shù)區(qū)B區(qū)0x20000備份參數(shù)區(qū)日志區(qū)0x40000環(huán)形日志緩沖每次正常保存時(shí)先寫 B 區(qū)校驗(yàn)通過(guò)后寫 A 區(qū)保持兩個(gè)區(qū)都有效。上電啟動(dòng)時(shí)先讀 A 區(qū)檢查 magic、版本和 CRC32全部通過(guò)就直接使用。如果 A 區(qū)校驗(yàn)失敗讀 B 區(qū)B 區(qū)通過(guò)則用 B 區(qū)恢復(fù) A 區(qū)。如果兩個(gè)區(qū)都校驗(yàn)失敗加載出廠默認(rèn)參數(shù)并上報(bào)“配置丟失”事件。這個(gè)流程代碼量不大但能把單點(diǎn)故障的概率降到很低。MRAM 本身可靠性已經(jīng)很高再加雙區(qū)鏡像基本可以做到“配置數(shù)據(jù)無(wú)故丟失”這件事在設(shè)備生命周期內(nèi)不發(fā)生。5.4 上電自檢流程每次上電我們?cè)谶M(jìn)入主循環(huán)之前會(huì)對(duì) MRAM 做一次快速自檢讀狀態(tài)寄存器確認(rèn)芯片響應(yīng)正常。讀固定區(qū)域的 magic 值確認(rèn)數(shù)據(jù)布局沒(méi)有被破壞。在非關(guān)鍵區(qū)域?qū)?0x55、0xAA 再讀回確認(rèn)讀寫通路正常。如果自檢失敗點(diǎn)亮告警燈同時(shí)通過(guò)日志記錄錯(cuò)誤類型。這個(gè)自檢開銷只有幾毫秒但對(duì)現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)來(lái)說(shuō)價(jià)值巨大故障定位可以明確區(qū)分“MRAM 芯片壞了”還是“參數(shù)丟了”而不是籠統(tǒng)的一句“設(shè)備異常”。5.5 RTOS 環(huán)境下的并發(fā)訪問(wèn)保護(hù)如果主控跑的是 RTOS情況會(huì)更復(fù)雜一些可能有多個(gè)任務(wù)同時(shí)訪問(wèn) MRAM比如參數(shù)管理任務(wù)寫配置、日志任務(wù)寫日志、網(wǎng)絡(luò)任務(wù)讀狀態(tài)。如果不做互斥兩個(gè)寫操作交叉執(zhí)行數(shù)據(jù)塊就花了。解決辦法是給 MRAM 訪問(wèn)加一把互斥鎖比如 FreeRTOS 的 Mutex所有讀寫 API 在入口處獲取鎖出口處釋放鎖。寫操作持鎖時(shí)間盡量短尤其不要在持鎖狀態(tài)下做 Flash 擦除、SD 卡寫這種慢操作。我們實(shí)際壓測(cè)時(shí)發(fā)現(xiàn)加鎖后 MRAM 吞吐基本沒(méi)掉因?yàn)槊總€(gè)操作本身就很快鎖競(jìng)爭(zhēng)很少。6. 實(shí)測(cè)記錄與陷阱排查從全 FF 到 FIFO 溢出6.1 現(xiàn)象一讀回來(lái)的數(shù)據(jù)全是 0xFF這個(gè)問(wèn)題在我第一次調(diào)試時(shí)出現(xiàn)過(guò)排查了一圈發(fā)現(xiàn)是 SPI 模式配錯(cuò)了。MR25H40CDF 支持 Mode 0CPOL0CPHA0和 Mode 3CPOL1CPHA1而 TM4C129 的 SSI 可以配置多種幀格式。我當(dāng)時(shí)在 SSIConfigSetExpClk 里寫成了 SSI_FRF_MOTO_MODE_2等于把時(shí)鐘極性和相位搞反了芯片完全不認(rèn)命令MISO 就一直保持高電平于是讀回全 FF。排查方法很簡(jiǎn)單用示波器抓 SCLK 和 CS#對(duì)比數(shù)據(jù)手冊(cè)上的時(shí)序圖。如果發(fā)現(xiàn) SCLK 空閑電平和數(shù)據(jù)采樣沿不對(duì)馬上就能定位。這里建議初始化參數(shù)里把模式寫成宏定義方便出問(wèn)題時(shí)快速切換測(cè)試。6.2 現(xiàn)象二寫入正常斷電重啟后數(shù)據(jù)丟失這個(gè)坑當(dāng)時(shí)費(fèi)了不少勁。單步調(diào)試時(shí)讀寫都正常一斷電再上電之前寫的數(shù)據(jù)就沒(méi)了。后來(lái)檢查原理圖發(fā)現(xiàn) HOLD# 引腳沒(méi)有上拉懸空狀態(tài)?，F(xiàn)場(chǎng)環(huán)境里電磁干擾把 HOLD# 拉低了一下芯片進(jìn)入暫停模式后續(xù)寫命令根本沒(méi)執(zhí)行。把 HOLD# 用 10kΩ 電阻上拉到 3.3V 之后問(wèn)題再?zèng)]出現(xiàn)過(guò)。另一個(gè)可能的原因是 CS# 在 MCU 復(fù)位期間出現(xiàn)毛刺導(dǎo)致芯片誤以為收到了非法命令。我們的解決辦法是在 GPIO 初始化的第一時(shí)間就把 CS# 拉高同時(shí)在上電后延時(shí) 10ms 再訪問(wèn) MRAM。6.3 現(xiàn)象三大塊數(shù)據(jù)讀出來(lái)錯(cuò)位日志記錄一次寫 512 字節(jié)讀出來(lái)發(fā)現(xiàn)前幾個(gè)字節(jié)正確中間偶爾錯(cuò)位。這個(gè)問(wèn)題是 SPI 輪詢時(shí)序沒(méi)處理好。發(fā)送一字節(jié)的同時(shí)會(huì)收到一字節(jié)如果發(fā)送時(shí)沒(méi)等接收 FIFO 有數(shù)據(jù)就去發(fā)下一個(gè)字節(jié)FIFO 滿了以后數(shù)據(jù)就會(huì)丟失或錯(cuò)位。修法就是在 spi_xfer 里確?！懊看伟l(fā)送都伴隨一次接收”并且發(fā)送前確認(rèn) TX FIFO 有空間接收前確認(rèn) RX FIFO 非空。像我在 4.2 節(jié)里給出的超時(shí)版本本質(zhì)上就是強(qiáng)制發(fā)送和接收成對(duì)進(jìn)行。如果數(shù)據(jù)量超過(guò) FIFO 深度可靠的輪詢時(shí)序加上適量延時(shí)比盲目提高時(shí)鐘更有效。6.4 現(xiàn)象四高速傳輸偶發(fā)誤碼把 SSI 時(shí)鐘從 16MHz 調(diào)到 24MHz 之后偶爾出現(xiàn)整個(gè)塊 CRC 校驗(yàn)失敗。分析下來(lái)是板子上 MRAM 走線過(guò)長(zhǎng)且沒(méi)有做阻抗匹配信號(hào)振鈴導(dǎo)致采樣不穩(wěn)定。降回 16MHz 就沒(méi)問(wèn)題。后來(lái)在 SCLK 和 MOSI 上各串了 22Ω 電阻再把時(shí)鐘調(diào)到 20MHz實(shí)測(cè)連續(xù)讀寫 10MB 數(shù)據(jù)無(wú)誤碼。所以我的經(jīng)驗(yàn)是工業(yè)板子上的 SPI 時(shí)鐘不要盲目追高穩(wěn)定壓倒一切。16MHz 到 20MHz 這個(gè)區(qū)間對(duì)絕大多數(shù)走線合理的板子來(lái)說(shuō)是比較穩(wěn)妥的。6.5 穩(wěn)定方案要點(diǎn)匯總做完整個(gè)項(xiàng)目我把這套方案的要點(diǎn)整理成了一張自檢表每次改版都對(duì)照檢查HOLD# 必須上拉WP# 電平初始化明確。CS# 用 GPIO 控制復(fù)位后默認(rèn)拉高。SPI 模式為 Mode 0 或 Mode 3與芯片手冊(cè)一致。每個(gè) SPI 字節(jié)發(fā)送與接收成對(duì)處理加超時(shí)保護(hù)。寫操作前發(fā) WREN完成后讀回校驗(yàn)。關(guān)鍵參數(shù)采用雙區(qū)鏡像 magic 版本號(hào) CRC32。掉電保存先寫數(shù)據(jù)后寫提交標(biāo)志啟動(dòng)時(shí)按 A→B→默認(rèn) 順序回滾。SSI 時(shí)鐘先保守配置量產(chǎn)布板驗(yàn)證后再考慮提速。這套組合跑了幾個(gè)月覆蓋了高溫、高濕、頻繁斷電的現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境沒(méi)有再出現(xiàn)存儲(chǔ)相關(guān)的故障。過(guò)程中最深的體會(huì)是工業(yè)存儲(chǔ)選型方向?qū)α吮仁裁炊贾匾?。MRAM 加一個(gè)可靠的控制器確實(shí)把“存數(shù)據(jù)”這件事變成了真正不用操心的基礎(chǔ)功能開發(fā)人員可以把精力放到業(yè)務(wù)邏輯上。